[RW011]

SK Hynix продолжает работать над DDR5



Компания SK Hynix, разрабатывающая при сотрудничестве с JEDEC оперативную память DDR5, опубликовала информацию о памяти будущего.
Подробнее:

1:

Минимальная скорость для DDR5 по спецификации составит 3200 Мб/с, а максимальная — 8400 Мб/с.
Скорость памяти в Мб/с и значение частоты работы модулей памяти в МГц будут идентичны.
Типичным значением для модулей DDR5 будет частота порядка 4800 МГц.

Минимальная плотность одного ядра DDR5 составит 8 Гб, а максимальная — 64 Гб, что вчетверо выше, чем у DDR4.

DDR5 будет поддерживать коды коррекции Error Correction Code (ECC) и Error Check and Scrub (ECS).
Они обеспечат внутреннюю коррекцию битовых ошибок DDR5.

Функция ECC (Error-Correcting Code) теперь не является эксклюзивной для специальных ядер, а будет использоваться для всех вариантов.
А технология ECS будет оповещать host-систему об ошибках, чтобы она могла своевременно отреагировать.

Чипы DDR5 будут использовать 32 банка, разделённых на 8 банковых кластеров (8x4).
Что является удвоением по сравнению с DDR4, где допустимо только 16 банков в конфигурациях 4x4 или 2x8.
Это должно обеспечить лучшую пропускную способность.

Длина пакета данных Burst Length (BL) составит 16, в отличие от 8 у DDR4.
Это должно улучшить пропускную способность памяти.

DDR5 поддерживает технологию Same Bank Refresh, то есть какие-то банки памяти могут выполнять обновление, в то время как другие банки - какие-либо другие операции.
Что довольно важно при использовании большого числа DIMM и каналов DDR5.

Напряжение питания в DDR5 будет снижено на 0,1 В и составит 1,1 В, что позволит снизить энергопотребление на 20%.

Образец DDR5 RDIMMS получил 288 контактов и немного изменённый дизайн с целью избежать путаницы между текущим и следующим поколением памяти.

Старт производства памяти DDR5 запланирован в этом году, но пока не уточняется, когда именно готовые модули выйдут на рынок.

Разумеется, должны ещё появиться процессоры и материнские платы с поддержкой такой памяти, поэтому ждать полноценного выхода новой памяти на рынок не стоит ранее 2021 года.