[RW011]

Измерение JFET и транзисторов D-MOS

5:

Поскольку структура типа JFET симметрична, исток и сток этого транзистора не могут быть определены. Обычно один из параметров этого транзистора - ток транзистора с затвором, на том же самом уровне напряжения, как и исток (затвор соединен с истоком). Этот ток часто выше, чем ток, который может быть достигнут в схеме измерения с резистором на 680 Ω. По этой причине резистор на 680 Ω подключен к истоку. Таким образом, с ростом тока истока на затворе получают отрицательное напряжение смещения. Тестер показывает ток истока в этой схеме и, дополнительно, напряжение смещения затвора. Таким образом, могут быть выделены различные модели. Транзисторы D-MOS (обеднённый) измеряются тем же методом.